是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.91 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 36.322 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.04 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.117 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
27HC64-70B/UB | MICROCHIP |
获取价格 |
IC,EPROM,8KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC | |
27HC64-70I/J | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 70 ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
27HC64-70I/K | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 70 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 | |
27HC64-70I/KA | VISHAY |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 70ns, CMOS, CQCC32 | |
27HC64-70I/L | VISHAY |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 70ns, CMOS, PQCC32 | |
27HC64-70I/L | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 70 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
27HC64-70I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 70 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
27HC64-70MR/KA | VISHAY |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 70ns, CMOS, CQCC32 | |
27HC64L-40/J | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 40 ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
27HC64L-40/K | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 40 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 |