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1SS322TE85R

更新时间: 2024-01-06 19:27:32
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东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 176K
描述
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1SS322TE85R 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.72配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.1 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SS322TE85R 数据手册

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1SS322  
2
2007-11-01  

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