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1SS181

更新时间： 2024-11-15 12:51:47

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KISEMICONDUCTOR		二极管
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描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

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1SS181 数据手册

KI SEMICONDUCTOR CO.

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

1SS181

SWITCHING DIODE

FEATURES

SOT-23

Power dissipation

P_D

150 mW(Tamb=25℃)

Forward Current

I_F

100 m A

2. 4

1. 3

Reverse Voltage

V_R:

Operating and storage junction temperature range

T_J,T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

Marking A3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_(BR)

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Parameter

Reverse breakdown voltage

I_R= 100µA

I_R

V_R=80V

0.5

1.2

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

µA

V_F

I_F=100mA

C_D

t _{r r}

V_R=0V

f=1MHz

Diode capacitance

Reverse recovery time

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