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1SS184

更新时间： 2024-02-05 08:16:31

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2页	136K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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1SS184 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.65	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS184 数据手册

1SS184

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Features

• Small package

• Low forward voltage

• Fast reverse recovery time

• Small total capacitance

Marking Code: A4

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Ultra high speed switching application

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Maximum Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

I_O

Average Forward Current

Maximum Peak Forward Current

Surge Current (10 ms)

100

I_FM

I_FSM

P_tot

T_j

300

150

Power Dissipation

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_s

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

1.2

Unit

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

Reverse Current

at V_R= 30 V

at V_R= 80 V

0.1

0.5

µA

I_R

Total Capacitance

at V_R= 0 , f = 1 MHz

C_T

t_rr

Reverse Recovery Time

at I_F= 10 mA

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 10/10/2008

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS184(F)	TOSHIBA	0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
1SS184(T5L,F,T)	TOSHIBA	RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,85V V(RRM),SOT-23	获取价格
1SS184(T5LTST,F)	TOSHIBA	0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
1SS184(TE85,F)	TOSHIBA	Rectifier Diode	获取价格
1SS184,LF(B	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
1SS184,LF(T	TOSHIBA	Rectifier Diode	获取价格