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1SS187

更新时间： 2024-02-16 00:19:02

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管
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2页	374K
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Low forward voltage : VF(3)=0.92V(typ.) Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.)

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1SS187 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS187 数据手册

1SS187

SOT-23

FEATURES

Low forward voltage

: V_F(3)=0.92V(typ.)

Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.)

MARKING: D3·

1. CATHODE

2. N.C.

3. ANODE

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Non-Repetitive Peak reverse voltage

V_RM

V_R

DC Blocking

Voltage

300

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

I_FM

I_O

℃

100

150

P_D

125

Junction temperature

T_J

-55-125

Storage temperature range

T_STG

℃

Electrical Characteristics @T_A=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)R

V_F1

Min.

Typ.

Max. Unit

Conditions

Reverse Breakdown Voltage

I_R=100μA

0.61

I_F=1mA

Forward voltage

Reverse current

V_F2

V_F3

I_R1

0.74

0.92

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

1.2

0.1

0.5

4.0

I_R2

C_T

t _{r r}

V_R=80V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

2.2

1.6

V_R=0,f=1MHz

4.0

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1×I_R

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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