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1SS187(T5L,F,T)

更新时间： 2024-02-15 05:51:10

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东芝 - TOSHIBA		快速恢复二极管测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	193K
描述
Rectifier Diode

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1SS187(T5L,F,T) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向电流：	0.5 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
反向测试电压：	80 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS187(T5L,F,T) 数据手册

1SS187

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

1SS187

Unit: mm

Ultra High Speed Switching Application

z Small package

: SC-59

: V

z Low forward voltage

= 0.92V (typ.)

F (3)

z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)

z Small total capacitance

: C = 2.2pF (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Maximum (peak) reverse voltage

Reverse voltage

Maximum (peak) forward current

Average forward current

Surge current (10ms)

300

100

FSM

Power dissipation

150

°C

JEDEC

Junction temperature

125

JEITA

SC-59

Storage temperature range

−55 to 125

stg

1-3G1D

TOSHIBA

Weight: 0.012g (typ.)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Electrical Characteristics

Test

Circuit

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

―

=1mA

―

0.61

0.74

0.92

―

F (1)

F (2)

F (3)

R (1)

R (2)

Forward voltage

= 10mA

= 100mA

1.20

0.1

0.5

4.0

= 30V

Reverse current

μA

= 80V

―

Total capacitance

= 0, f = 1MHz

2.2

1.6

Reverse recovery tme

I = 10mA (Fig.1)

Marking

Start of commercial production

1982-06

2014-03-01

12 3

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与1SS187(T5L,F,T)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS187(T5LTST,F)	TOSHIBA	0.1A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
1SS187,LF	TOSHIBA	Switching Diodes	获取价格
1SS187_07	TOSHIBA	Ultra High Speed Switching Application	获取价格
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1SS187TE85L	TOSHIBA	Ultra High Speed Switching Application	获取价格