是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.65 | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最大输出电流: | 0.05 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.15 W | 最大重复峰值反向电压: | 80 V |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1SS187 | RECTRON |
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SOT-23 SWITCHING DIODE | |
1SS187 | TGS |
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SOT23 Plastic-Encapsulated Diodes | |
1SS187 | HTSEMI |
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Low forward voltage : VF(3)=0.92V(typ.) Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.) | |
1SS187 | WEITRON |
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Surface Mount Switching Diodes 100m AMPERES 80 VOLTS | |
1SS187 | SEMTECH |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
1SS187 | TOSHIBA |
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DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) | |
1SS187 | KISEMICONDUCTOR |
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SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes | |
1SS187 | TYSEMI |
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Fast reverse recovery time:trr=1.6ns(typ.) Diode capacitance :Cd=2.2pF(typ.) | |
1SS187 | WINNERJOIN |
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SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE | |
1SS187 | LGE |
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Switching Diodes |