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1SS187

更新时间： 2024-09-25 14:55:39

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
4页	2175K
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SOT-23

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1SS187 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS187 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

1SS187 Switching Diode

SOT-23

FEATURES

Low forward voltage

Fast reverse recovery time

MARKING: D3·

D3·= Device code

Solid dot = Green molding compound device.

Maximum Ratings @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RM

V_R

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

I_FM

300

100

2.0

I_O

I_FSM

P_D

Non-Repetitive Peak

Forward Surge Current @t=8.3ms

Power Dissipation

150

833

Thermal Resistance from Junction to Ambient

R_θJA

℃/W

Operation Junction and Storage Temperature Range

℃

-55~+150

T_J,T_STG

Electrical Characteristics @Ta=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)

V_F1

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

Reverse breakdown voltage

I_R=100μA

I_F=1mA

0.61

Forward voltage

Reverse current

V_F2

V_F3

I_R1

0.74

0.92

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

1.2

0.1

I_R2

C_T

t _{r r}

V_R=80V

0.5

4.0

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

2.2

1.6

V_R=0,f=1MHz

4.0

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1×I_R

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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