5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1SS181(F)
1SS181(F) PDF预览

1SS181(F)

更新时间： 2024-10-30 20:00:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 358K
描述
Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

1SS181(F) 技术参数

生命周期：Active包装说明：SC-59, TO-236MOD, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
应用：FAST RECOVERY配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.225 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：80 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS181(F) 数据手册

 浏览型号1SS181(F)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS181(F)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1SS181(F)的Datasheet PDF文件第4页 
1SS181  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS181  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
AEC-Q101 Qualified (Note1)  
Small package  
: SC-59  
: V  
Low forward voltage  
= 0.92V (Typ.)  
F (3)  
Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (Typ.)  
rr  
Small total capacitance  
: C = 2.2pF (Typ.)  
T
Note1: For detail information, please contact to our sales.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
300 (*)  
100 (*)  
2 (*)  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
JEDEC  
TO-236MOD  
P
150  
mW  
°C  
°C  
JEITA  
SC-59  
2-3F1S  
Junction temperature  
T
j
125  
TOSHIBA  
Weight: 12 mg (typ.)  
Storage temperature  
T
−55 to 125  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = Unit rating × 1.5.  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
I
0.61  
0.74  
0.92  
―
―
―
―
―
―
―
―
―
F (1)  
F
F
F
V
= 10mA  
= 100mA  
= 30V  
Forward voltage  
F (2)  
V
1.20  
0.1  
0.5  
4.0  
4.0  
F (3)  
I
V
V
V
I
―
―
R (1)  
R
Reverse current  
μA  
I
= 80V  
R (2)  
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0V, f = 1MHz  
2.2  
1.6  
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
= 10mA (Fig.1)  
rr  
F
Start of commercial production  
1982-06  
1
2017-11-02  
1234

中文翻译

下载PDF

与1SS181(F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS181(T5L,F,T) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS181(T5LNHE,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
1SS181(T5LSIW,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
1SS181(T5LTST,F) TOSHIBA

获取价格

 		0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
1SS181(T5RMAA,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
1SS181(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Diode Switching 85V 0.3A 3-Pin S-Mini T/R
1SS181(TE85R,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS181,LF TOSHIBA

获取价格

 		DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
1SS181,LF(T TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS181_07 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Application

与1SS181(F)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证