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1SS184

更新时间： 2024-01-10 21:28:24

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TGS		二极管开关
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2页	393K
描述
Switching Diode

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1SS184 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.65	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS184 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

SOT-23

1SS184 Switching Diode

FEATURES

Low forward voltage

Fast reverse recovery time

MARKING: B3

Maximum Ratings @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RM

V_R

300

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

I_FM

I_O

℃

100

150

P_D

150

Junction Temperature

T_J

-55~+150

Storage Temperature Range

T_STG

℃

Electrical Characteristics @Ta=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)

V_F1

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

Reverse breakdown voltage

I_R=100μA

0.60

I_F=1mA

Forward voltage

Reverse current

V_F2

V_F3

I_R1

0.72

0.9

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

1.2

0.1

0.5

3.0

I_R2

C_T

t _{r r}

V_R=80V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

0.9

1.6

V_R=0,f=1MHz

4.0

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1×I_R

A,Jun,2011

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与1SS184相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS184(F)	TOSHIBA	0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
1SS184(T5L,F,T)	TOSHIBA	RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,85V V(RRM),SOT-23	获取价格
1SS184(T5LTST,F)	TOSHIBA	0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
1SS184(TE85,F)	TOSHIBA	Rectifier Diode	获取价格
1SS184,LF(B	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
1SS184,LF(T	TOSHIBA	Rectifier Diode	获取价格