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1SS181(T5L,F,T)

更新时间： 2024-11-15 20:00:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 358K
描述
Rectifier Diode

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1SS181(T5L,F,T) 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
应用：FAST RECOVERY配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.225 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：80 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS181(T5L,F,T) 数据手册

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1SS181  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS181  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
AEC-Q101 Qualified (Note1)  
Small package  
: SC-59  
: V  
Low forward voltage  
= 0.92V (Typ.)  
F (3)  
Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (Typ.)  
rr  
Small total capacitance  
: C = 2.2pF (Typ.)  
T
Note1: For detail information, please contact to our sales.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
300 (*)  
100 (*)  
2 (*)  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
JEDEC  
TO-236MOD  
P
150  
mW  
°C  
°C  
JEITA  
SC-59  
2-3F1S  
Junction temperature  
T
j
125  
TOSHIBA  
Weight: 12 mg (typ.)  
Storage temperature  
T
−55 to 125  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = Unit rating × 1.5.  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
I
0.61  
0.74  
0.92  
―
―
―
―
―
―
―
―
―
F (1)  
F
F
F
V
= 10mA  
= 100mA  
= 30V  
Forward voltage  
F (2)  
V
1.20  
0.1  
0.5  
4.0  
4.0  
F (3)  
I
V
V
V
I
―
―
R (1)  
R
Reverse current  
μA  
I
= 80V  
R (2)  
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0V, f = 1MHz  
2.2  
1.6  
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
= 10mA (Fig.1)  
rr  
F
Start of commercial production  
1982-06  
1
2017-11-02  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS181(T5LNHE,F) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
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