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1SS184

更新时间： 2024-01-30 15:29:49

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鲁光 - LGE		二极管开关
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2页	238K
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Switching Diodes

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1SS184 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.65	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS184 数据手册

1SS184

Switching Diodes

SOT-23

1.ANODE

2. ANODE

3. CATHODE

Features

Low forward voltage

: V_F(3)=0.9V(typ.)

Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.)

MARKING: B3

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Non-Repetitive Peak reverse voltage

V_RM

V_R

DC Blocking

Voltage

300

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

I_FM

I_O

℃

100

150

P_D

125

Junction temperature

T_J

-55-125

Storage temperature range

T_STG

℃

Electrical Characteristics @T_A=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)R

V_F1

Min.

Typ.

Max. Unit

Conditions

Reverse Breakdown Voltage

I_R=100μA

0.60

I_F=1mA

Forward voltage

Reverse current

V_F2

V_F3

I_R1

0.72

0.9

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

1.2

0.1

0.5

3.0

I_R2

C_T

t _{r r}

V_R=80V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

0.9

1.6

V_R=0,f=1MHz

4.0

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1×I_R

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1SS184(F)	TOSHIBA	获取价格	0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
1SS184(T5L,F,T)	TOSHIBA	获取价格	RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,85V V(RRM),SOT-23
1SS184(T5LTST,F)	TOSHIBA	获取价格	0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
1SS184(TE85,F)	TOSHIBA	获取价格	Rectifier Diode
1SS184,LF(B	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
1SS184,LF(T	TOSHIBA	获取价格	Rectifier Diode
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