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1SS181

更新时间： 2024-11-15 07:07:59

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金誉半导体 - HTSEMI		/
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2页	341K
描述
Low forward voltage : VF(3)=0.92V(typ.) Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.)

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1SS181 数据手册

1SS181

SOT-23

FEATURES

Low forward voltage

: V_F(3)=0.92V(typ.)

Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.)

MARKING: A3

1. CATHODE

2. CATHODE

3. ANODE

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Non-Repetitive Peak reverse voltage

V_RM

V_R

DC Blocking

Voltage

300

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

I_FM

I_O

℃

100

150

P_D

125

Junction temperature

T_J

-55-125

Storage temperature range

T_STG

℃

Electrical Characteristics @T_A=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)R

V_F1

Min.

Typ.

Max. Unit

Conditions

Reverse Breakdown Voltage

I_R=100μA

0.61

I_F=1mA

Forward voltage

Reverse current

V_F2

V_F3

I_R1

0.74

0.92

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

1.2

0.1

0.5

4.0

I_R2

C_T

t _{r r}

V_R=80V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

2.2

1.6

V_R=0,f=1MHz

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1×I_R

4.0

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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