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1SS165

更新时间： 2024-01-01 20:08:56

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EIC		二极管
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SCHOTTKY BARRIER DIODES

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1SS165 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-34
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.26
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1SS165 数据手册

SCHOTTKY BARRIER DIODES

1SS165

DO - 34 Glass

FEATURES :

• Low forward voltage

• High breakdown voltage

• Low diode capacitance.

• Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.063 (1.6 )max.

min.

0.119 (3.04)

Cathode

max.

MECHANICAL DATA :

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.11g

Mark

1.00 (25.4)

0.022 (0.55)max.

min.

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_R

I_o

Reverse Voltage

°C

Average Rectified Current

Power Dissipation

P_D

T_J

150

Junction Temperature

Storage temperature range

100

T_stg

-55 to + 100

°C

Note: (1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature.

Electrical Characteristics (T_J= 25°C unless otherwise noted)

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Parameter

Symbol

V_R= 10 V

V_R= 2 V

I_F= 1 mA

0.2

430

I_R

Reverse Current

365

V_F

Forward Voltage

I_F= 10 mA

520

600

1.0

±5

V_R= 0V, f = 1MHz

I_F= 10 mA

Diode Capacitance

∆V_F

Forward Voltage Deviation

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 24, 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS165RX	RENESAS	SILICON, MIXER DIODE, D0-34, DO-34, 2 PIN	获取价格
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