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1SS165

更新时间: 2024-02-28 18:40:36
品牌 Logo 应用领域
EIC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

1SS165 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.26
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:1 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS165 数据手册

 浏览型号1SS165的Datasheet PDF文件第1页 
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1SS165 )  
Forward Current VS. Forward Voltage  
Reverse Current VS. Reverse Voltage  
100  
10  
100  
10  
1.0  
1.0  
0.1  
0.1  
0.01  
0.01  
0.001  
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8  
Forward Voltage , VF (V)  
0.001  
0
5
10  
15  
20  
25 30  
Reverse Voltage , VR (V)  
Diode capacitance VS. Reverse Voltage  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4  
Reverse Voltage , VR (V)  
Page 2 of 2  
Rev. 02 : March 24, 2005  

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