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1N914-13

更新时间: 2024-11-20 21:20:43
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美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35

1N914-13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.06
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.075 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N914-13 数据手册

  

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