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1N9148BRHG

更新时间： 2024-09-23 07:23:19

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TSC		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	181K
描述
400mW High Speed SMD Switching Diode

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1N9148BRHG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.4 W
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

1N9148BRHG 数据手册

1N4148W/1N4448W/1N914BW

400mW High Speed SMD Switching Diode

Small Signal Diode

SOD-123F

Features

Fast switching device(Trr<4.0nS)

Surface device type mounting

Moisture sensitivity level 1

Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate

Pb free version and RoHS compliant

Green compound (Halogen free) with suffix "G" on

packing code and prefix "G" on date code

Unit (mm)

Unit (inch)

Dimensions

Min

1.5

Max

Min

Max

Mechanical Data

Case : Flat lead SOD-123 small outline plastic package

Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable

per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s

Polarity : Indicated by cathode band

Weight : 8.85±0.5 mg

1.7 0.059 0.067

3.7 0.130 0.146

0.7 0.020 0.028

2.7 0.098 0.106

3.3

0.5

2.5

0.8

1.0

0.031 0.039

0.05

0.2 0.002 0.008

Marking Code : D1, D2, D3

Pin Configuration

Ordering Information

Marking

Package

Part No.

Packing

SOD-123F 1N4148W RH

SOD-123F 1N4448W RH

SOD-123F 1N9148B RH

SOD-123F 1N4148W RHG

SOD-123F 1N4448W RHG

SOD-123F 1N9148B RHG

3K / 7" Reel

Suggested PAD Layout

0.91

0.036

1.22

2.36

0.048

0.093

4.19

0.165

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

Value

400

Units

Power Dissipation

P^D

V^RSM

VRRM

I^FRM

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Forward Current

Mean Forward Current

100

300

°C/W

°C

I^O

150

Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)

Junction and Storage Temperature Range

RθJA

TJ, TSTG

450

-65 to + 150

Notes:1. Test Condition : 8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)

Version : D10

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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1N914A	EIC	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING DIODES
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1N914A	MCC	获取价格	500mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diodes
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