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1N914A.TR

更新时间: 2024-11-24 19:35:51
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N914A.TR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.65外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:5 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N914A.TR 数据手册

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