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1N914A-A

更新时间: 2024-11-07 21:20:43
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美台 - DIODES 二极管
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1页 61K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon

1N914A-A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.27外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:5 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N914A-A 数据手册

  

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