5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.35 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 75 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 4 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向电流： | 2 µA | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N6628US | SENSITRON |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6628USS | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| 1N6628USV | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N6628UV | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N6628V | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| 1N6629 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
|
| 1N6629 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 800V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6629 | SENSITRON |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Rectifier |
|
| 1N6629 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 880V 1.4A 2-Pin Case E |
|
| 1N6629HR | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N6629-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
