是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.25 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
应用: | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.4 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 75 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1.8 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 900 V |
最大反向电流: | 2 µA | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N6630 | SENSITRON |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC, 306, 2 PIN | |
JAN1N6630 | SENSITRON |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC, 306, 2 PIN | |
1N6630 | MICROSEMI |
功能相似 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6630E3-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN | |
1N6630HR | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode | |
1N6630S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, Silicon, | |
1N6630S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, | |
1N6630SMS | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, | |
1N6630SMSTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, | |
1N6630U | SENSITRON |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Rectifier | |
1N6630UE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, MELF-2 | |
1N6630US | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS | |
1N6630US | SENSITRON |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Rectifier |