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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N6629UV
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1N6629UV

更新时间： 2024-11-01 13:01:03
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, Silicon,

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1N6629UV 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.71
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：1.4 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N6629UV 数据手册

 浏览型号1N6629UV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N6629UV的Datasheet PDF文件第3页 
1N6626,U,US thru 1N6631,U,US  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 5077, REV. B  
SJ  
SX  
SV  
Ultrafast Recovery Rectifier  
• Hermetic, non-cavity glass package  
• Metallurgically bonded  
• Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o  
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
Rating  
Symbol  
Condition  
Max  
Units  
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE  
1N6626, U, US  
200  
400  
600  
800  
900  
1000  
1N6627, U ,US  
1N6628, U, US  
1N6629, U, US  
1N6630 ,U, US  
VRWM  
Volts  
1N6631, U, US  
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT  
1N6626 thru 1N6628  
2.3  
1.8  
Io  
TL= 75 oC  
TEC= 110 oC  
Tp=8.3ms  
Tj = 25 oC  
Amps  
Amps  
1N6629 thru 1N6631  
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT  
1N6626U, US thru 1N6628U, US  
4.0  
2.8  
Io  
1N6629U, US thru 1N6631U, US  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IFSM  
75  
60  
A(pk)  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IR @ VRWM  
2.0  
4.0  
μAmps  
μAmps  
MAXIMUM REVERSE CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IR @ VRWM  
Tj = 150 oC  
500  
600  
MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=4A  
IF=3A  
IF=2A  
1.50  
1.70  
1.95  
VFM  
Volts  
A(pk)  
PEAK RECOVERY CURRENT  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=2A,  
100A/μ  
3.5  
4.2  
5.0  
IRM  
MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=0.5A  
RM =1.0A  
30  
50  
60  
Trr  
ns  
I
FORWARD RECOVERY VOLTAGE  
1N6626, U, US thru 1N6628,U, US  
1N6629,U, US to 1N6630,U, US  
1N6631, U, US  
IF=1A  
tr=12ns  
8
12  
20  
VFRM  
Volts  
THERMAL RESISTANCE (Axial)  
1N6626 thru 1N6631  
L=.375  
L=0  
oC/W  
oC/W  
RθJL  
RθJC  
22  
THERMAL RESISTANCE (MELF)  
1N6626U, US thru 1N6631U, US  
6.5  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Addre1N - sales@sensitron.com •  
123

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与1N6629UV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6629V SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, Silicon,
1N6629X SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, Silicon,
1N662A NJSEMI

获取价格

 		GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
1N662B NJSEMI

获取价格

 		Diode Switching 80V 0.15A 2-Pin DO-35
1N663 MICROSEMI

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 		COMPUTER DIODE Switching
1N663 NJSEMI

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 		GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
1N6630 SENSITRON

获取价格

 		Ultrafast Recovery Rectifier
1N6630 MICROSEMI

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 		ULTRA FAST RECTIFIERS
1N6630 SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon,
1N6630 NJSEMI

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 		Diode Switching 990V 1.4A 2-Pin Case E

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