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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.71 |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.4 V |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 75 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1.4 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 2 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6629X | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, Silicon, |
|
| 1N662A | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |
|
| 1N662B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 80V 0.15A 2-Pin DO-35 |
|
| 1N663 | MICROSEMI |
获取价格 |
COMPUTER DIODE Switching |
|
| 1N663 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |
|
| 1N6630 | SENSITRON |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Rectifier |
|
| 1N6630 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
|
| 1N6630 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6630 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 990V 1.4A 2-Pin Case E |
|
| 1N6630E3-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN |
|
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