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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.06 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.5 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6630 | SENSITRON |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Rectifier |
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| 1N6630 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| 1N6630 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, |
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| 1N6630 | NJSEMI |
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Diode Switching 990V 1.4A 2-Pin Case E |
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| 1N6630E3-TR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN |
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| 1N6630HR | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N6630S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, Silicon, |
|
| 1N6630S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, |
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| 1N6630SMS | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6630SMSTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 900V V(RRM), Silicon, |
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