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1N5619

更新时间: 2024-09-18 22:34:59
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
MILITARY RECTIFIERS

1N5619 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.57Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.25 µs表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5619 数据手册

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1N5619 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N5619 MICROSEMI

完全替代

MILITARY RECTIFIERS
JAN1N5619 SENSITRON

类似代替

HERMETIC AXIAL LEAD/MELF RECTIFIER
JANTX1N5619 MICROSEMI

类似代替

MILITARY RECTIFIERS

与1N5619相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5619BK CENTRAL

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon
1N5619GP VISHAY

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GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER
1N5619GP/100 VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5619GP/100-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5619GP/4E-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5619GP/4G VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5619GP/4G-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5619GP/51 VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5619GP/51-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5619GP/54 VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN