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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5405G
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1N5405G

更新时间： 2024-09-08 22:38:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER

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1N5405G 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.43Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：500 V最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1N5405G 数据手册

 浏览型号1N5405G的Datasheet PDF文件第2页 
1N5400G - 1N5408G  
3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
Features  
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Diffused Junction  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
A
B
A
·
·
Surge Overload Rating to 125A Peak  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-0  
C
D
Mechanical Data  
DO-201AD  
Min  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Dim  
A
Max  
—
25.40  
7.20  
B
9.50  
1.30  
5.30  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Weight: 1.12 grams (approx)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
C
1.20  
D
4.80  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
5400G 5401G 5402G 5403G 5404G 5405G 5406G 5407G 5408G  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
300  
210  
400  
500  
350  
600  
420  
800  
580  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
280  
3.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
@ TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
125  
1.1  
A
Forward Voltage  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TA 25°C  
=
5.0  
100  
mA  
@ TA = 125°C  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
2.0  
40  
ms  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
RqJA  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
32  
K/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.  
DS29003 Rev. D-2  
1 of 2  
1N5400G-1N5408G  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Silicon Rectifiers

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