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1N5405G-E

更新时间： 2024-11-20 12:49:59

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描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A

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1N5405G-E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	180 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	500 V
最大反向电流：	5 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5405G-E 数据手册

1N5400G-E THRU 1N5408G-E

GLASS PASSIVATED

JUNCTION RECTIFIER

VOLTAGE: 50V to 1000V

CURRENT: 3.0A

DO - 201AD

FEATURE

Molded case feature for auto insertion

High current capability

Low leakage current

High surge capability

High temperature soldering guaranteed

250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension

Glass Passivated chip

Halogen Free

MECHANICAL DATA

Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

Case: Molded with UL-94 Class V-0 Halogen Free Epoxy

Polarity: color band denotes cathode

Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,

for capacitive load, derate current by 20%)

540

G-

540 540 540 540 540 540 540 540

0G- 1G- 2G- 3G- 4G- 5G- 6G- 7G-

SYMBOL

units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Vrrm

Vrms

Vdc

100 200 300 400 500 600 800 1000

70 140 210 280 350 420 560 700

Maximum DC blocking Voltage

100 200 300 400 500 600 800 1000

3.0

Maximum Average Forward Rectified Current

3/8" lead length at T_L=105°C

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load

Maximum Instantaneous Forward Voltage at

rated forward current

If(av)

Ifsm

180

1.1

Maximum full load reverse current full cycle at

T_L=75°C

Ir(av)

30.0

µA

5.0

100.0

Maximum DC Reverse Current

at rated DC blocking voltage

Ta =25°C

Ta =125°C

µA

Typical Junction Capacitance

Operating Temperature

(Note 1)

(Note 2)

°C/W

°C

Rth(ja)

Tstg, Tj

Storage and Operating Junction Temperature

Note:

-55 to +150

1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375" lead length, P.C. Board Mounted

Rev.A2

www.gulfsemi.com

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与1N5405G-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5405GM	GULFSEMI	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A
1N5405GP	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, DO-201AD,
1N5405GPE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, DO-201AD,
1N5405G-T	DIODES	获取价格	3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N5405-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5405K	SEMTECH	获取价格	SILICON RECTIFIERS
1N5405K	SEMIKRON	获取价格	Standard silicon rectifier diodes
1N5405K	DIOTEC	获取价格	Silicon Rectifiers
1N5405TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5406	GULFSEMI	获取价格	GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT:3.0A

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