1N457A

更新时间： 2024-11-16 12:54:55

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管开关
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1页	75K
描述
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

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1N457A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-7	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-7	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	1.5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最大输出电流：	0.075 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N457A 数据手册

Silicon Switching Diode

DO-35 Glass Package

1N4150

1N457A

Applications

Used in general purpose applications,where a controlled forward

characteristic is important.

DO -35 Glass Package

Features

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Six sigma quality

BKC's Sigma Bond™ plating

for problem free solderability

LL-35 MELF SMD available

Hermetic Glass Package

Extremely low FIT Level

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 mm

(M in.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

1.53-2.28 mm

Maximum Ratings

Symbol

PIV

Iavg

I_Fdc

Value

Unit

Volts

Peak Inverse Voltage

70 (Min).

200

Average Rectified Current

Continuous Forward Current

Peak Surge Current (t_peak= 1 sec.)

mAmps

Amp

300

I_peak

1.0

Max. Power Dissipation T_L=50 ^oC, L = 3/8" from body

P_tot

500

mWatts

^oC

Operating Temperature Range

T_Op

-80 to +200

Storage Temperature Range

T_St

Electrical Characteristics @ 25^oC*

Forward Voltage Drop @ I_F= 100 mA

Reverse Leakage @ V_R= 60 V

Symbol

Minimum

Maximum

1.00

Unit

Volts

V_F

I_R

***

Reverse Leakage @ V_R= 60 V,100 ^oC

I_R

0.005

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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1N457A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N643	MICROSEMI	功能相似	COMPUTER DIODE Switching

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1N457A.T50A	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35
1N457A.T50R	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35
1N457A.TR	FAIRCHILD	获取价格	DIODE 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N457A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2
1N457ABK	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N457ABKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35,
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1N457ALEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35,
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