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1N457T26R

更新时间： 2024-11-14 21:00:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
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1页	26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

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技术参数
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1N457T26R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.63
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N457T26R 数据手册

1N457/A

DO-35

Color Band Denotes Cathode

Small Signal Diode

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

200

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

4.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

300

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max Units

V_R

V_F

Breakdown Voltage

I_R= 100 µA

Forward Voltage

Reverse Current

Total Capacitance

I_F= 20 mA

I_F= 100 mA

V_R= 60 V

V_R= 60 V, T_A= 150°C

V_R= 0, f = 1.0 MHz

1.0

µA

1N457

1N457A

I_R

C_T

8.0

1N457

1N457/A, Rev. A

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

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与1N457T26R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N457T50A	TI	获取价格	0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N457T50R	TI	获取价格	0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N457T50R	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
1N457TR	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N457TR	ONSEMI	获取价格	高电导、低泄漏二极管
1N457TR	ROCHESTER	获取价格	0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N457X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon,
1N458	NJSEMI	获取价格	LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE
1N458	MICROSEMI	获取价格	SWITCHING DIODE
1N458	TI	获取价格	0.055A, SILICON, SIGNAL DIODE