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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 70 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N457AX | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, |
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| 1N457M | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N457R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, |
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| 1N457T26A | TI |
获取价格 |
0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N457T26A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1N457T26R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1N457T50A | TI |
获取价格 |
0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N457T50R | TI |
获取价格 |
0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N457T50R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
|
| 1N457TR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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