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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N457ATR-RMCU

1N457ATR-RMCU PDF预览

1N457ATR-RMCU

更新时间： 2024-01-02 23:14:44

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	54K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35,

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技术参数
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1N457ATR-RMCU 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向电流：	0.025 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N457ATR-RMCU 数据手册

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

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1N457M	ETC	silicon diode	获取价格
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1N457T26A	TI	0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
1N457T26A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35	获取价格
1N457T26R	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35	获取价格

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