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1N457AE3

更新时间: 2024-11-14 14:39:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 70V V(RRM)

1N457AE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.45Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e3
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.15 A最大重复峰值反向电压:70 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

1N457AE3 数据手册

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