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1N457ATR PDF预览

1N457ATR

更新时间： 2024-11-14 21:15:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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1N457ATR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：7.92
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：1.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N457ATR 数据手册

 浏览型号1N457ATR的Datasheet PDF文件第2页 
1N457/A  
DO-35  
Color Band Denotes Cathode  
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
70  
V
Average Rectified Forward Current  
200  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
175  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
500  
300  
mW  
RθJA  
C/W  
°
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max Units  
VR  
VF  
Breakdown Voltage  
70  
V
IR = 100 µA  
Forward Voltage  
Reverse Current  
Total Capacitance  
IF = 20 mA  
IF = 100 mA  
VR = 60 V  
VR = 60 V, TA = 150°C  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
1.0  
1.0  
25  
5
V
V
nA  
µA  
pF  
1N457  
1N457A  
IR  
CT  
8.0  
1N457  
1N457/A, Rev. A  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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