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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 7.32 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 0.6 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 70 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N457 | FAIRCHILD |
完全替代  |
Small Signal Diode |
|
| 1N457TR | ONSEMI |
功能相似 |
高电导、低泄漏二极管 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N457X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N458 | NJSEMI |
获取价格 |
LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE |
|
| 1N458 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N458 | TI |
获取价格 |
0.055A, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| 1N458 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N458 | NSC |
获取价格 |
High Conductance Low Leakage Diode |
|
| 1N458/A | ETC |
获取价格 |
LOW LEAKAGE DIODES |
|
| 1N458_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N4580 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4580 | CDI-DIODE |
获取价格 |
6.4 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5% |
|
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