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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 80 V | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4502 | NJSEMI |
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GERMANIUM DIODE |
|
| 1N4502BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Germanium, DO-7 |
|
| 1N4502BKLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Germanium, DO-7, |
|
| 1N4502LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Germanium, DO-7, |
|
| 1N4502TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Germanium, DO-7 |
|
| 1N4502TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Germanium, DO-7, |
|
| 1N4506 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N4506E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N4506R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N4507 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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