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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 1500 Ω |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.5 W | 标称参考电压： | 200 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD OVER COPPER |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 最大电压容差： | 2% |
| 工作测试电流： | 1.2 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4496USCE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 1.5W |
|
| 1N4496USD | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE- |
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| 1N4496USDE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 1.5W |
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| 1N4496USE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 1.5W |
|
| 1N44S3 | NJSEMI |
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MECHANICAL CHARACTERISTICS |
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| 1N45 | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N450 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N4500 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SWITCHING DIODES |
|
| 1N4500 | NJSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
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| 1N4500_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
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