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Datasheet > 暂无类别数据> 1N4448-A
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1N4448-A

更新时间： 2024-11-14 04:24:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
FAST SWITCHING DIODE

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1N4448-A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DO-35
包装说明：ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.06
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

1N4448-A 数据手册

 浏览型号1N4448-A的Datasheet PDF文件第2页 
SPICE MODEL: 1N4148  
1N4148 / 1N4448  
FAST SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
General Purpose Rectification  
A
B
A
Silicon Epitaxial Planar Construction  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)  
Mechanical Data  
C
·
·
·
·
·
Case: DO-35  
D
Case Material: Glass  
DO-35  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Dim  
A
Min  
25.40  
¾
Max  
¾
Terminals: Finish ¾ Sn96.5Ag3.5. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
B
4.00  
0.60  
2.00  
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
C
¾
Marking: Type Number  
D
¾
Weight: 0.13 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
1N4148  
1N4448  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
75  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
300  
500  
mA  
mA  
IO  
150  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s  
1.0  
2.0  
IFSM  
Pd  
A
@ t = 1.0ms  
Power Dissipation (Note 1)  
500  
1.68  
mW  
mW/°C  
Derate Above 25°C  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
300  
°C/W  
°C  
Tj , TSTG  
-65 to +175  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
IF = 10mA  
IF = 5.0mA  
IF = 100mA  
Maximum Forward Voltage  
1N4148  
1N4448  
1N4448  
¾
0.62  
¾
1.0  
0.72  
1.0  
VFM  
V
VR = 75V  
5.0  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
VR = 70V, Tj = 150°C  
IRM  
Maximum Peak Reverse Current  
¾
V
V
R = 20V, Tj = 150°C  
R = 20V  
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
4.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = 10mA to IR =1.0mA  
VR = 6.0V, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.  
2. EC Directive 2002/95/EC (RoHS) revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied where applicable,  
see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS12019 Rev. 6 - 2  
1 of 2  
1N4148 / 1N4448  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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1N4448-A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4448 DIOTEC

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