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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N4448HLP
1N4448HLP PDF预览

1N4448HLP

更新时间： 2024-01-22 20:05:25
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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1N4448HLP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.58配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.15 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

1N4448HLP 数据手册

 浏览型号1N4448HLP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4448HLP的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: 1N4448HLP  
1N4448HLP  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE  
Lead-free Green  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
Ultra-Small Surface Mount Package  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
DFN1006-2  
G
Dim Min  
A
Max Typ  
Lead Free by Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
H
0.95 1.075 1.00  
0.55 0.675 0.60  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
B
C
D
G
H
N
R
0.45  
0.20  
0.47  
0
0.55 0.50  
0.30 0.25  
0.53 0.50  
0.05 0.03  
Mechanical Data  
·
A
Case: DFN1006-2  
·
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
B
C
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: Cathode Dot  
¾
¾
0.40  
0.05  
0.15 0.10  
Terminals: Finish - NiPdAu annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
All Dimensions in mm  
N
·
·
·
Marking Code: T8, Dot Denotes Cathode Side  
Ordering Information: See Last Page  
Weight: 0.001 grams  
D
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
80  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
57  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
250  
125  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
2.0  
1.0  
IFSM  
A
@ t = 1.0s  
Tj , TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
Value  
250  
Unit  
mW  
Pd  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
500  
°C/W  
Electrical Characteristics  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Conditions  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)  
I
R = 100mA  
80  
¾
V
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
¾
0.72  
0.855  
1.0  
VF  
Forward Voltage (Note 3)  
V
¾
1.25  
VR = 80V  
100  
50  
nA  
mA  
mA  
nA  
V
V
V
R = 75V, Tj = 150°C  
R = 25V, Tj = 150°C  
R = 20V  
IR  
Peak Reverse Current (Note 3)  
¾
30  
25  
VR = 0.5V, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
3.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Note: 1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Short duration pulse test used so as to minimize self-heating effect.  
DS30590 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
1N4448HLP  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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