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1N4448A0

更新时间： 2024-11-14 06:16:35

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TSC		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	98K
描述
500mW High Speed Switching Diode

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1N4448A0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.07	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

1N4448A0 数据手册

1N4148/1N4448/1N914B

500mW High Speed Switching Diode

Small Signal Diode

DO-35 Axial Lead

HERMETICALLY SEALED GLASS

Features

Fast switching device(Trr<4.0nS)

Through-hole device type mounting

Moisture sensitivity level 1

Solder hot dip Tin(Sn) lead finish

Pb free version and RoHS compliant

All External Surfaces are Corrosion Resistant and

Leads are Readily Solderable

Unit (mm)

Min Max

Unit (inch)

Min Max

Dimensions

Mechanical Data

Case : DO-35 package (SOD-27)

High temperature soldering guaranteed : 260°C/10s

Polarity : Indicated by cathode band

Weight : 109 ± 4 mg

0.45 0.55 0.018 0.022

3.05 5.08 0.120 0.200

25.4 38.1 1.000 1.500

1.53 2.28 0.060 0.090

Ordering Information

Part No.

1Nxxxx A0

1Nxxxx R0

Packing

Package

DO-35

5Kpcs / Ammo

10Kpcs / 14" Reel

DO-35

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

P^D

Value

500

Units

Power Dissipation

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

V^RRM

100

I^FSM

Pulse Width

2.0

450

8.3ms

Non-Repetitive Peak Forward Current

Mean Forward Current

I^FM

150

Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)

Junction and Storage Temperature Range

RθJA

TJ, TSTG

240

°C/W

°C

-65 to + 150

Electrical Characteristics

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

100

IR=100uA

Reverse Breakdown Voltage

I^R=5uA

V^(BR)

Forward Voltage

0.62

0.72

1.0

1N4448, 1N914B

1N4148

I^F=5.0mA

V^F

I^F=10.0mA

I^F=100.0mA

V^R=20V

1N4448, 1N914B

μA

Reverse Leakage Current

5.0

4.0

V^R=75V

C^J

Junction Capacitance

V^R=0, f=1.0MHz

Trr

Reverse Recovery Time (Note 2)

Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Notes:2. Reverse Recovery Test Conditions: I_F=10mA, I_R=60mA, R_L=100Ω, I_RR=1mA

Version : C09

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4448AMO	NXP	获取价格	0.15A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4448-AP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
1N4448-B	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, MINIMELF-2
1N4448BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4448D1	ANBON	获取价格	DFN-2L
1N4448HC	TAITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
1N4448HC	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
1N4448HF	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
1N4448HG	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
1N4448HJ	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,

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