1N4007T-G

更新时间： 2024-09-13 12:56:23

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上华 - COMCHIP		整流二极管
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General Purpose Silicon Rectifiers

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1N4007T-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	1.5
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4007T-G 数据手册

General Purpose Silicon Rectifiers

1N4001-G Thru. 1N4007-G

Voltage: 50 to 1000 V

Current: 1.0 A

RoHS Device

Features

-Low cost construction.

-Fast forward voltage drop.

-Low reverse leakage.

DO-41

-High forward surge current capability.

1.0(25.40) Min.

-High soldering temperature guarantee: 260 C/10

seconds, 0.375”(9.5mm) lead length at 5lbs(2.3kg)

tension.

0.205(5.20)

0.160(4.20)

Mechanical data

0.107(2.70)

0.080(2.00)

-Case: transfer molded plastic, DO-41

-Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

-Polarity: Indicated by cathode band

1.0(25.40) Min.

-Lead: Plated axial lead, solderable per MIL-STD-

202E, method 208C

0.034(0.90)

0.028(0.70)

-Mounting position: Any

Dimensions in inches and (millimeter)

-Weight: 0.012ounce, 0.33 grams

Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load derate current by 20%.

1N4007

-G

1N4001 1N4002 1N4003 1N4004

1N4006

-G

4005

Parameter

Symbol

Unit

-G

100

-G

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

VRMS

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

100

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

1.0

=55 ^OC

(AV)

0.375"(9.5mm) Lead Length @T

Peak Forward Surge Current,

8.3mS single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC method)

IFSM

Maximum Instantaneous Forward Voltage @1.0A

1.1

=25 ^OC

=100 ^OC

5.0

Maximum DC Reverse Current at Rated

DC Blocking voltage per element

μA

Maximum Full Load Reverse Current,full cycle

average 0.375”(9.5mm)lead length at TL=75 ^O

μA

IR(AV)

^OC/W

^OC

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Temperature Range

Storage Ttemperature Range

NOTES:

θJA

-55 ~ +150

^OC

TSTG

1. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.

2. Thermal Resistance from junction to terminal 6.0mm²copper pads to each terminal.

REV:A

Page 1

QW-BG013

Comchip Technology CO., LTD.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4007-TP	MCC	获取价格	1 Amp Rectifier 50 - 1000 Volts
1N4007-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4007TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4007TR	NIEC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
1N4007-TR	MCC	获取价格	暂无描述
1N4007-TR30	TAITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC,
1N4007TR-RPCU	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41SP, 2 PIN
1N4007U01	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
1N4007U06	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
1N4007V	RECTRON	获取价格	SILICON RECTIFIER

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