是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DO-35 | 包装说明: | O-XALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.73 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最大输出电流: | 0.3 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 25 V |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4009R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon | |
1N4009X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon | |
1N400X | VISHAY |
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1.0A RECTIFIER | |
1N400x Series | MERITEK |
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1N400x Series | Silicon Rectifier 1.0A DO-41 Axial Leaded | |
1N400xGPHM3 | VISHAY |
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Glass Passivated Junction Plastic Rectifier | |
1N400XGP-M3 | VISHAY |
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Glass Passivated Junction Plastic Rectifier | |
1N400XLB | CYSTEKEC |
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1.0Amp. Glass Passivated Silicon Rectifiers | |
1N400XW | HORNBY |
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SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE RECTIFIERS | |
1N400XW_18 | HORNBY |
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SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE RECTIFIERS | |
1N4010 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN |