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1N4012

更新时间: 2024-01-08 22:15:08
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 120K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 12A, Silicon, DO-4,

1N4012 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.59
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JEDEC-95代码:DO-4JESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:700 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

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