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1N4009X

更新时间: 2024-01-23 13:03:16
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 121K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon

1N4009X 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:35 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4009X 数据手册

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