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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SM25 | SEMTECH |
类似代替  |
RECTIFIER, up to 3kV, 600mA, 2.5μs |
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| JAN1N3646 | MICROSEMI |
功能相似 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3646SM | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N3647 | NJSEMI |
获取价格 |
Microminiature package. |
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| 1N3647 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
|
| 1N3647 | SEMTECH |
获取价格 |
RECTIFIER, up to 3kV, 600mA, 2.5μs |
|
| 1N3647 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, 3000V V(RRM), |
|
| 1N3647SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), |
|
| 1N3649 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3649E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N3649R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3649RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
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