5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 5 V | 最大非重复峰值正向电流： | 14 A |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.6 A | 最大重复峰值反向电压： | 3000 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3647SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), |
|
| 1N3649 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3649E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N3649R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3649RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N364A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 2KV 0.6A 2-Pin Case G-12 |
|
| 1N365 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Tape and Box |
|
| 1N3650 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3650E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N3650R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
