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1N3649E3

更新时间： 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PIN

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1N3649E3 技术参数

生命周期：Active包装说明：METAL, DO-4, 1 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：25 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最大输出电流：3.3 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT参考标准：MIL-19500/260G
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：0.5 µs
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

1N3649E3 数据手册

 浏览型号1N3649E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N3649E3的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
HIGH RELIABILITY POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/260  
• Glass Passivated Die  
• Glass to Metal Seal Construction  
• 25 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts  
DEVICES  
LEVELS  
1N1124A  
1N1126A  
1N1128A  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649  
1N3650  
1N3649R  
1N3650R  
JAN  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
1N1124A  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649R  
200  
400  
600  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
1N1126A  
1N1128A  
1N3649  
VRWM  
V
800  
1N3650  
1N3650R  
1000  
Average Forward Current, TC = 150°  
IF  
3.3  
25  
A
A
Peak Surge Forward Current @ tp = 8.3ms, half sinewave,  
TC = 150°C, T = 1/120s  
IFSM  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Operating Case Temperature Range  
Storage Temperature Range  
2.0  
°C/W  
°C  
Rθjc  
TC  
-65°C to 150°C  
-65°C to 200°C  
DO-203AA(DO-4)  
Tstg  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Forward Voltage  
IF = 10A, Tj = 25°C*  
VF  
2.2  
V
Reverse Current  
VR = 200, Tj = 25°C  
VR = 400, Tj = 25°C  
VR = 600, Tj = 25°C  
VR = 800, Tj = 25°C  
VR = 1000, Tj = 25°C  
1N1124A  
1N1126A  
1N1128A  
1N3649  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649R  
IR  
5
μA  
μA  
1N3650  
1N3650R  
Reverse Current  
VR = 200, Tj = 150°C  
VR = 400, Tj = 150°C  
VR = 600, Tj = 150°C  
VR = 800, Tj = 150°C  
VR = 1000, Tj = 150°C  
1N1124A  
1N1126A  
1N1128A  
1N3649  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649R  
IR  
200  
1N3650  
1N3650R  
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
Note:  
T4-LDS-0135 Rev. 1 (091678)  
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123

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与1N3649E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3649R MICROSEMI

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 		MILITARY SILICON POWER RECTIFIER
1N3649RE3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
1N364A NJSEMI

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 		Diode Switching 2KV 0.6A 2-Pin Case G-12
1N365 NJSEMI

获取价格

 		Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Tape and Box
1N3650 MICROSEMI

获取价格

 		MILITARY SILICON POWER RECTIFIER
1N3650E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
1N3650R MICROSEMI

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 		MILITARY SILICON POWER RECTIFIER
1N3650RE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
1N3655 ETC

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 		SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES
1N3655A SKYWORKS

获取价格

 		Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon

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