是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | METAL, DO-4, 1 PIN | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.36 | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 2.2 V | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 25 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 3.3 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500/260G |
最大重复峰值反向电压: | 1000 V | 最大反向恢复时间: | 0.5 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3650E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 | |
1N3650R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3650RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 | |
1N3655 | ETC |
获取价格 |
SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES | |
1N3655A | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon | |
1N3655AM | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon | |
1N3655AMR | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon | |
1N3655B | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon | |
1N3655BM | ETC |
获取价格 |
SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES | |
1N3655BMR | ETC |
获取价格 |
SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |