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1N3650

更新时间: 2024-11-10 03:54:43
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美高森美 - MICROSEMI 军事
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER

1N3650 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:METAL, DO-4, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.36应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.2 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:25 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最大输出电流:3.3 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/260G
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:0.5 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3650 数据手册

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