5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3647SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), |
|
| 1N3649 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3649E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N3649R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3649RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N364A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 2KV 0.6A 2-Pin Case G-12 |
|
| 1N365 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Tape and Box |
|
| 1N3650 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3650E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N3650R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
