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| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, G12, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| Factory Lead Time： | 9 weeks | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 5 V |
| JESD-30 代码： | E-XALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 14 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.26 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 3000 V |
| 最大反向恢复时间： | 2.5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3647SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), |
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| 1N3649 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3649E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N3649R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3649RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N364A | NJSEMI |
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Diode Switching 2KV 0.6A 2-Pin Case G-12 |
|
| 1N365 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Tape and Box |
|
| 1N3650 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3650E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| 1N3650R | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
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