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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N348 | NJSEMI |
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Diode 100V 1.2A |
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| 1N3488 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3489 | ETC |
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FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|24V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
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| 1N3489A | ETC |
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FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|24V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
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| 1N349 | NJSEMI |
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Diode 100V 0.6A |
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| 1N3490 | ETC |
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FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|24V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
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| 1N3491 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| 1N3491 | NJSEMI |
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Medium-current silicon rectifiers |
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| 1N3491R | MOTOROLA |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon, DO-21 |
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| 1N3491R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 50V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
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