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1N3493S

更新时间: 2024-11-24 14:39:07
品牌 Logo 应用领域
ASI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-21,

1N3493S 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-MUPF-P1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.52
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.7 V
JEDEC-95代码:DO-21JESD-30 代码:O-MUPF-P1
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:35 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:PRESS FIT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N3493S 数据手册

  
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